热发射显微镜系统(Thermal Emission microscopy system),是半导体失效分析和缺陷定位的常用的三大手段之一(EMMI,THERMAL,OBIRCH),是通过接收故障点产生的热辐射异常来定位故障点(热点/Hot Spot)位置。

而OPTOTHERM Sentris 热发射显微镜系统,标配LOCK IN THERMOGRAPHY锁相热成像技术,将锁相技术和热成像技术有机结合,获得超过1mk以上的温度分辨率,对uA级漏电流或微短路等导致的缺陷,提供了非常好的解决方案。

Thermal EMMI 在电子及半导体行业应用,行业专家一刀博士有生动的描述,thermal 的应用http://bbs.elecfans.com/jishu_920621_1_1.html.

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1. 它的应用非常广泛,去封装的芯片分析,未去封装的芯片分析,电容,FPC,甚至小尺寸的电路板分析(PCB、PCBA),这也就让你可以在对样品的不同阶段都可以使用thermal技术进行分析,如下图示例,样品电路板漏电定位到某QFN封装器件漏电,将该器件拆下后发现漏电改善,对该器件焊引线出来,未开封定位为某引脚,开封后扎针上电再做分析,进一步确认为晶圆某引线位置漏电导致,如有需要可接着做SEM,FIB等分析。 leo.

未开封器件漏电分析

未开封器件分析

lockin-ic开封器件分析

开封器件分析

2. 它能侦测的半导体缺陷也非常广泛,微安级漏电,低阻抗短路,ES击伤,闩锁效应点,金属层底部短路等等,而电容的漏电和短路点定位,FPC,PCB,PCBA的漏电,微短路等也能够精确定位

lock-in锁相分析

lock-in锁相分析

开封芯片漏电分析

开封芯片漏电分析

GAN-SIC器件

GAN-SIC器件

3,它是无损分析:作为日常的失效分析,往往样品量稀少,这就要求失效分析技术最好是无损的,而对于某些例如陶瓷电容和FPC的缺陷,虽然电测能测出存在缺陷,但是对具体缺陷位置,市场上的无损分析如XRAY或超声波,却很难进行定位,只能通过对样品进行破坏性切片分析,且只能随机挑选位置,而通过Thermal 技术,你需要的只是给样品上电,就可以对上述两种缺陷进行定位

无标题

FPC缺陷分析

电容漏电分析

电容缺陷分析

4,锁相热成像(LOCK IN THERMOGRAPHY):利用锁相技术,将温度分辨率提高到0.001℃,5um分辨率镜头,可以侦测uA级漏电流和微短路缺陷,远由于传统热成像及液晶热点侦测法(0.1℃分辨率,mA级漏电流热点)

锁相热成像定位

5,系统能够测量芯片等微观器件的温度分布,提供了一种快速探测热点和热梯度的有效手段,热分布不仅能显示出缺陷的位置,在半导体领域

结温测量

在集成电路操作期间,内部结自加热导致接合处的热量集中。器件中的峰值温度处于接合处本身,并且热从接合部向外传导到封装中。因此,器件操作期间的精确结温测量是热表征的组成部分。

贴附评估

芯片附着缺陷可能是由于诸如不充分或污染的芯片附着材料,分层或空隙等原因引起的。Sentris热分析工具(如 图像序列分析)可用于评估样品由内到外的热量传递过程,以便确定管芯接合的完整性。

OPTOTHERM Sentris 热发射显微镜系统作为一台专业为缺陷定位的系统,专为电子产品FA设计,通过特别的LOCK-IN技术,使用LWIR镜头,仍能将将温度分辨率提升到0.001℃(1mK),同时光学分辨率最高达到5um,尤其其软件系统经过多年的优化,具有非常易用和实用,以下是OPTOTHERM Sentris 热发射显微镜系统分析过程的说明视频

LEADERWE (‘Leaderwe intelligent international limited ‘and ‘ShenZhen Leaderwe Intelligent Co.,Ltd‘)作为Optotherm公司中国代表,在深圳设立optotherm红外热分析应用实验室,负责该设备的演示和销售,如有相关应用,可提供免费评估测试服务。

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