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Sentris 半导体器件故障分析红外热分析显微镜

详情参考:http://www.leaderwe.com/project/optotherm-thermal-emmi/

 高灵敏度的锁相热成像缺陷定位

配合电测,XRAY等对样品作无损分析

选配不同镜头,可分析封装芯片及裸芯片

对短路及漏电流等分析效果佳

堆叠芯片的缺陷深度分析

0.001℃温度分辨率,5um定位分辨率,可探测 uW级功耗

其他功能如真实温度测量,热的动态分析,热阻计算

价格可承受

 

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Micro科研级红外热成像显微镜

详情参考:http://www.leaderwe.com/project/optotherm-microscope-1/

使用像素级的发射率表来做真实温度映射

最高5um的XY方向分辨

使用框选的区域或形状来统计分析热分布

用录像或热序列的形式分析和记录

温度曲线绘图和图表

温度序列,录像,数据分析

可测试微米级MEMS、光电器件、微型医疗器件等微观器件

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Optotherm EL电路板故障排除热成像系统

详情参考:http://www.leaderwe.com/project/optotherm-el/

 Optotherm EL 专为PCBA热分布及故障定位设计;

 PCBA热分布分析,动态热分析;

 Gold sample 建立MBC比对,定位缺陷点 ;

无需编程,特别熟悉原理图,快速定位缺陷,

产线返修,客户终端不良品快速返修;

节约维修时间,降低产品报废率

Lock-in Thermography锁相热成像

锁相技术和高端红外技术相结合

5um分辨率+0.001℃分辨率相结合

侦测低于100uw功耗的缺陷及uA及漏电流

可以实现缺陷XY以及Z方向的定位

可以定位低ESD击伤,栓锁,金属层内短路等各种缺陷

性能远优于液晶热点定位,常和Xray,Decap,EMMI、OBIRCH等技术一起使用;

lockin锁相热成像技术

真实温度映射

微小器件由不同材质组成,不同材质,不同粗糙度等都影响发射率;

图像上的大部分对比度通常是由于发射率变化而不是温度变化引起;

微米级的发射率校正尤为重要,否则看到的就是一团红的虚假热分布;

Emissivity Tables软件工具可以自动创建样品的像素级发射率图;

通过将辐射率图应用于热图像,可在设备上的任何点获得准确的温度;

结合Macro,80um,20um,5um镜头,可获取微米级真实热分布。

而MEMS气体传感器由于其体积小(mm级),传感器需要自加热到一定温度后,其传感器的精度才能达到最高,这就要求在研发和测试过程中对MEMS气体传感器的电阻丝温度测量,需要使用红外热成像显微镜,如图电阻丝只有几十微米

Hot Spot热点侦测

PCBA,芯片器件(封装/Die)缺陷常以热点形式出现;

Hot Spot 热点定位只需给样品上电;

一次点击或几次点击热点即会呈现;

可调用XRAY,实物图和热点图进行叠加分析;

短路,漏电流分钟经常一分钟内定位;

真正简单,易用,强大;

lockin-ic

缺陷深度检测

三维封装(TSV, SiP)器件的复杂性及堆叠数量增加使确定故障深度变得具有挑战,

Sentris提供了经过验证的非破坏性技术,通过Lock-in Thermography定位故障深度,

锁相热成像技术幅位用来定位XY方向,相位用来定位Z方向(时间/周期)

通过对应的相位角,可以换算出大致的缺陷深度或所在层数

3D Sip 缺陷深度检测

Model Board Comparison (MBC)

Model Board Comparison(MBC)标准板比较功能;

可建立Gold sample上电产生热量的整个过程,

再以样品发热的过程与之进行比较,找出异常点

可以简单快速的找出PCBA系统级缺陷

提升返修成功率减少报废PCBA

Model Board Comparison (MBC)

Optotherm 红外热发射显微镜 (Sentris ,Micro,EL)演示视频